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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T431616D-7C |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/74頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 781K |
| 代理商： | T431616D-7C |
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TE
CH
tm
Timing Waveforms
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 21
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 1. AC Parameters for Write Timing
(Burst Length=4, CAS# Latency=2)
A11
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CH
t
CL
t
CK2
t
IS
t
IS
t
IH
Begin Bank A
Begin Bank B
t
IS
t
IH
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IS
RAx
RBx
RBx
CAx
RBx
CBx
RAy
RAy
CAy
RAz
RAz
RBy
RBy
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RCD
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DAL
t
RC
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IS
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IH
t
WR
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RP
t
RRD
Ax0
Ax1
Ax2
Ax3
Bx0
Bx1
Bx2
Bx3
Ay0
Ay1
Ay2
Ay3
Activate
Command
Bank A
Write with
AutoPrecharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Write with
AutoPrecharge
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
Write
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0-A9
DQM
DQ
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616D-7CG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E-7C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616D-7CG | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7S | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E-7C | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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