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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T431616C-7S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/30頁 |
| 文件大小： | 720K |
| 代理商： | T431616C-7S |
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TE
CH
tm
FREQUENCY vs. AC PARAMETER RELATIONAHIP TABLE
T431616C-6S (Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
Frequency
Latency
60ns
36ns
166MHz(6.0ns)
3
10
6
143MHz(7.0ns)
3
9
6
125MHz(8.0ns)
2
8
5
111MHz(9.0ns)
2
7
4
100MHz(10.0ns)
2
6
4
T431616C-7S (Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
Frequency
Latency
70ns
42ns
143MHz(7.0ns)
3
10
6
125MHz(8.0ns)
3
9
6
111MHz(9.0ns)
2
8
5
100MHz(10.0ns)
2
7
5
83MHz(12.0ns)
2
6
4
base
T431616C
TM Technology Inc. reserves the right
P.10
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: D
t
RP
18ns
3
3
3
2
2
t
RRD
12ns
2
2
2
2
2
t
RCD
18ns
3
3
3
2
2
t
CCD
6ns
1
1
1
1
1
t
CDL
6ns
1
1
1
1
1
t
RDL
12ns
2
2
2
2
2
CAS
t
RP
21ns
3
3
3
3
2
t
RRD
14ns
2
2
2
2
2
t
RCD
21ns
3
3
3
3
2
t
CCD
7ns
1
1
1
1
1
t
CDL
7ns
1
1
1
1
1
t
RDL
14ns
2
2
2
2
2
CAS
Note : 1. Clock count formula : clock
≥
period
clock
value
(round off whole number).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616C-7SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5CG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616C-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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