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參數(shù)資料
| 型號： | T1451N |
| 廠商： | EUPEC |
| 英文描述： | Netz-Thristor Phase Control Thyristor |
| 中文描述： | Netz公司，晶閘管相位控制晶閘管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 255K |
| 代理商： | T1451N |
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1451N
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. /
Keller
2/8
Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/μs
V
R
= 0,5V
RRM
, V
RM
= 0,8V
RRM
T
vj
= T
vj max
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/μs
V
R
= 0,5V
RRM
, V
RM
= 0,8V
RRM
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
vj
vj max
TM
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
t
q
typ.
450
μs
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
r
max.
15
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
max.
320
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,0097
0,009
0,014
0,0250
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
0,0025
0,005
°C/W
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
36...52
kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244 Gate
Kathode /Cathode
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
1500 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s2
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| T14L1024A-10H | 128K X 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
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| T14L1024A-10N | 128K X 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| T1451N48TOH | 功能描述:SCR模塊 NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| T1451N49T0H | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1451N50T0H | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1451N51T0H | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
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