參數(shù)資料
型號(hào)： SUP28N15-52
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET
中文描述： N溝道150 -五（副）175葷MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 49K
代理商： SUP28N15-52
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
175 C Junction Temperature
PWM Optimized
APPLICATIONS
Primary Side Switch
SUP28N15-52
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71939
S-21375—Rev. A, 12-Aug-02
www.vishay.com
1
N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.052 @ V
GS
= 10 V
28
150
0.060 @ V
GS
= 6 V
26
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-220AB
Top View
G D S
SUP28N15-52
DRAIN connected to TAB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
150
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
C
= 25 C
28
Continuous Drain Current (T
J
= 175 C)
b
T
C
= 125 C
I
D
16
Pulsed Drain Current
I
DM
50
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
I
S
28
Avalanche Current
I
AR
25
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
1%)
L = 0.1 mH
E
AR
31
mJ
T
C
= 25 C
120
b
Maximum Power Dissipation
T
= 25 C
(mounted)
a
P
D
3.75
a
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Unit
PCB Mount
a
40
Junction-to-Ambient
a
Free Air
R
thJA
62.5
C/W
Junction-to-Case (Drain)
R
thJC
1.25
Notes
a.
b.
Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.
See SOA curve for voltage derating.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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