參數(shù)資料
型號(hào)： SUP57N20-33
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道200 -五（副）175C MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 42K
代理商： SUP57N20-33
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
175 C Junction Temperature
APPLICATIONS
Automotive
- 42-V EPS and ABS
- DC/DC Conversion
- Motor Drives
Isolated DC/DC converters
- Primary-Side Switch
SUP57N20-33
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72100
S-22449—Rev. A, 20-Jan-03
www.vishay.com
1
N-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
200
0.033 @ V
GS
= 10 V
57
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-220AB
Top View
G D S
SUP57N20-33
DRAIN connected to TAB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
200
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
57
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
I
D
33
Pulsed Drain Current
I
DM
I
AR
E
AR
140
A
Avalanche Current
35
Repetitive Avalanche Energy
a
L = 0.1 mH
61
mJ
T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
c
300
b
Maximum Power Dissipation
a
P
D
3.75
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
c
R
thJA
40
Junction-to-Case (Drain)
R
thJC
0.5
C/W
Notes
a.
b.
c.
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
1%.
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PDF描述
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