參數(shù)資料
型號： SUM45N25-58
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 250-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET
中文描述： N溝道250 -五（副），175度，Celcious，場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： SUM45N25-58
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
175 C Junction Temperature
New Low Thermal Resistance Package
APPLICATIONS
Primary Side Switch
Plasma Display Panel Sustainer Function
SUM45N25-58
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72314
S-31515—Rev. A, 14-Jul-03
www.vishay.com
1
N-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
250
0.058 @ V
GS
= 10 V
0.062 @ V
GS
= 6 V
45
43
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-263
S
D
G
Top View
Ordering Information: SUM45N25-58-
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
250
Gate-Source Voltage
V
GS
30
V
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
I
D
45
25
A
Pulsed Drain Current
I
DM
I
AR
E
AR
70
Avalanche Current
35
Repetitive Avalanche Energy
a
L = 0.1 mH
61
mJ
Maximum Power Dissipation
a
T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
c
P
D
375
b
W
3.75
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
c
R
thJA
40
C/W
Junction-to-Case (Drain)
R
thJC
0.4
Notes
a.
b.
c.
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
1%.
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PDF描述
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