參數(shù)資料
型號(hào)： STW8NA80
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS晶體管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： STW8NA80
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 400 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 640 V
R
G
= 47
I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
20
28
28
38
ns
ns
Turn-on Current Slope
170
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 400 V
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
75
10
35
100
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
18
20
25
Max.
25
28
35
Unit
ns
ns
ns
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 640 V
R
G
= 4.7
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
7.2
28.8
A
A
V
SD
(
)
t
rr
Forward On Voltage
I
SD
= 7.2 A
V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 7.5 A
V
DD
= 100 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
850
17
40
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STW8NA80 STH8NA80FI
3/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH8NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STHS2375A IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設(shè)備)接口控制器)
STHS2375L IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設(shè)備)接口控制器)
STHS2376A IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設(shè)備)接口控制器)
STHS2376L IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設(shè)備)接口控制器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW8NB100 功能描述:MOSFET RO 511-STW11NK100Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NB90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW8NC80Z 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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