參數(shù)資料
型號(hào)： STW8NA80
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： STW8NA80
THERMAL DATA
TO-247
ISOWATT218
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
0.71
1.78
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
30
0.1
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
7.2
A
E
AS
700
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
800
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
T
c
= 100
o
C
50
500
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
30 V
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.25
3
3.75
V
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V
I
D
= 4A
1.3
1.5
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
7.2
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 4 A
4.5
7.9
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
1750
188
50
2300
245
70
pF
pF
pF
STW8NA80 STH8NA80FI
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH8NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STHS2375A IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設(shè)備)接口控制器)
STHS2375L IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設(shè)備)接口控制器)
STHS2376A IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設(shè)備)接口控制器)
STHS2376L IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設(shè)備)接口控制器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW8NB100 功能描述:MOSFET RO 511-STW11NK100Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NB90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW8NC80Z 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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