參數(shù)資料
型號(hào): STW8NA60
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
中文描述: ? -快速通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù): 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 124K
代理商: STW8NA60
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
5.35
5.65
0.210
0.222
C
D
3.3
2.9
3.8
3.1
0.130
0.114
0.149
0.122
D1
1.88
2.08
0.074
0.081
E
0.75
1
0.029
0.039
F
1.05
1.25
0.041
0.049
G
10.8
11.2
0.425
0.441
H
15.8
16.2
0.622
0.637
L1
20.8
21.2
0.818
0.834
L2
19.1
19.9
0.752
0.783
L3
L4
22.8
40.5
23.6
42.5
0.897
1.594
0.929
1.673
L5
4.85
5.25
0.190
0.206
L6
20.25
20.75
0.797
0.817
M
3.5
3.7
0.137
0.145
N
2.1
2.3
0.082
0.090
U
4.6
0.181
L1
A
C
D
E
H
G
M
F
L6
1
2
3
U
L5
L4
D
N
L3
L2
P025C
ISOWATT218MECHANICAL DATA
STW8NA60-STH8NA60FI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH8NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH8NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW8NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STH8NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STHS2375A IEEE 802.3af PoE Powered Device (PD) Interface Controller(IEEE802.3af PoE PD(受電設(shè)備)接口控制器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW8NA80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW8NB100 功能描述:MOSFET RO 511-STW11NK100Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NB90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW8NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET