參數(shù)資料
型號(hào): STW80NF55-06
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述: N溝道55V的- 0.005ohm - 80A的- 247 STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
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代理商: STW80NF55-06
STW80NF55-06
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW80NF55-08 N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET
STW8N80 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW8NB100 N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW8NB80 N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW8NC70Z N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW80NF55-08 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW81100 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOs
STW81100_1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOs
STW81100AT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS
STW81100AT-1 功能描述:鎖相環(huán) - PLL MULTI BAND RF FREQ SYNTHESIZER RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray