參數(shù)資料
型號： STW80NF55-06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道55V的- 0.005ohm - 80A的- 247 STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： STW80NF55-06
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STW80NF55-06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 27.5 V, I
D
= 40A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 44 V, I
D
= 80 A,
V
GS
= 10 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
40
ns
t
r
Rise Time
240
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
190
40
65
230
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 27.5 V, I
D
= 40A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
260
75
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
t
d(off)
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
Vclamp = 44 V, I
D
=80A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
70
185
240
110
ns
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
80
A
Source-drain Current (pulsed)
320
A
Forward On Voltage
I
SD
= 80A, V
GS
= 0
1.5
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 80 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 20V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
90
0.295
6.5
ns
μ
C
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW80NF55-08 N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET
STW8N80 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW8NB100 N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW8NB80 N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW8NC70Z N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW80NF55-08 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW81100 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOs
STW81100_1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOs
STW81100AT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS
STW81100AT-1 功能描述:鎖相環(huán) - PLL MULTI BAND RF FREQ SYNTHESIZER RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray
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