參數(shù)資料
型號： STW80NE06-10
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET
中文描述： ? -通道60V的- 0.0085ohm - 80A條-對247 STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： STW80NE06-10
Fig. 1: UnclampedInductiveLoad TestCircuit
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2: Unclamped InductiveWaveform
Fig. 4: GateCharge test Circuit
Fig. 5: TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode RecoveryTimes
STW80NE06-10
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相關PDF資料
PDF描述
STW80NF55-06 N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STW80NF55-08 N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET
STW8N80 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW8NB100 N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW8NB80 N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STW80NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STW80NF10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A TO-247 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STW80NF12 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 120V 80A 3PIN TO-247 - Rail/Tube
STW80NF55-06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STW80NF55-08 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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