參數(shù)資料
型號： STW80NE06-10
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET
中文描述： ? -通道60V的- 0.0085ohm - 80A條-對247 STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： STW80NE06-10
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
0.75
30
0.1
300
o
C/W
oC/W
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 30 V)
80
A
E
AS
350
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
20 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V
I
D
= 40 A
8.5
10
m
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
80
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=40 A
19
38
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
7600
890
150
10000
1100
200
pF
pF
pF
STW80NE06-10
2/8
相關PDF資料
PDF描述
STW80NF55-06 N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STW80NF55-08 N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET
STW8N80 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW8NB100 N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW8NB80 N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STW80NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STW80NF10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A TO-247 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STW80NF12 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 120V 80A 3PIN TO-247 - Rail/Tube
STW80NF55-06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STW80NF55-08 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*