參數(shù)資料
型號(hào)： STW60NE10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET
中文描述： ? - 100V的通道- 0.016ohm - 60A至- 247 STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： STW60NE10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
DD
= 80 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
28
100
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
142
27
59
185
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
clamp
= 80 V
R
G
=
4.7
(Inductive Load, see fig. 5)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
160
45
ns
ns
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
40
45
85
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
60
240
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 60 A
I
SD
= 60 A
V
DD
= 50 V
(see test circuit, fig. 5)
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
170
1.02
12
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
SafeOperating Area
Thermal Impedance
STW60NE10
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW60N10 CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
STW80N06-10 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
STW80NE06-10 N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW80NF55-06 N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STW80NF55-08 N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW60NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.035 Ohm 68A MDmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW62N65M5 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V TO-247
STW62NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.049 Ohm 55A MDmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW65N65DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 60A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW65N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 46A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3230pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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