參數(shù)資料
型號： STW60NE10
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET
中文描述： ? - 100V的通道- 0.016ohm - 60A至- 247 STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： STW60NE10
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
0.83
30
0.1
300
o
C/W
oC/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
60
A
E
AS
500
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
100
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 30 A
2
3
4
V
V
GS
= 10 V
0.016
0.022
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
60
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=18 A
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
5300
640
215
pF
pF
pF
STW60NE10
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW60N10 CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
STW80N06-10 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
STW80NE06-10 N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW80NF55-06 N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STW80NF55-08 N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW60NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.035 Ohm 68A MDmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW62N65M5 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V TO-247
STW62NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.049 Ohm 55A MDmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW65N65DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 60A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
STW65N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 46A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3230pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
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