參數(shù)資料
型號(hào)： STW5NB100
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 1000V-4Ω-4.3A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道1000V -4Ω- 4.3A至247 PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： STW5NB100
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 500 V I
D
= 2 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
20
9
28
13
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 800 V I
D
= 4 A V
GS
= 10 V
32
12
11
45
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 800 V I
D
= 4 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
15
12
20
21
17
28
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
4.3
17
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 4.3 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 4 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
C
750
5.4
14.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STW5NB100
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW60N10 CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
STW80N06-10 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
STW80NE06-10 N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW80NF55-06 N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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