參數(shù)資料
型號(hào)： STW5NB100
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 1000V-4Ω-4.3A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道1000V -4Ω- 4.3A至247 PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： STW5NB100
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
0.78
62.5
0.5
300
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
4.3
A
E
AS
373
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
1000
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
V
GS
=
±
30 V
1
50
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V I
D
= 2 A
4
4.4
I
D(on)
V
GS
= 10 V
4.3
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 2 A
1.5
3
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
1400
117
7
1800
152
10
pF
pF
pF
STW5NB100
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW60N10 CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
STW80N06-10 N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管)
STW80NE06-10 N - CHANNEL 60V - 0.0085ohm - 80A - TO-247 STripFET POWER MOSFET
STW80NF55-06 N-CHANNEL 55V - 0.005ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW5NB100 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW5NB90 功能描述:MOSFET RO 511-STW7NK90Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW5NK100Z 功能描述:MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW60N10 制造商:MISCELLANEOUS 功能描述:
STW60N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.049 Ohm 46A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*