參數(shù)資料
型號： STW5NA100
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式快速功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： STW5NA100
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 500 V I
D
=
2.1 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 800 V I
D
= 4.2 A V
GS
= 10 V
14
12
20
16
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
59
9.4
26.5
83
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 800 V I
D
= 4.2A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
94
30
142
132
42
199
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
4.6
18.4
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 4.2 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 4.2 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 30 V T
j
= 150
C
1000
14
28
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STW5NA100-STH5NA100FI
3/6
相關PDF資料
PDF描述
STH5NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STH60N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH60N10FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH7NA100FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強模式功率MOS晶體管)
STH7NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW5NA90 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW5NB100 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW5NB100 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW5NB90 功能描述:MOSFET RO 511-STW7NK90Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW5NK100Z 功能描述:MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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