參數(shù)資料
型號(hào)： STW10NC60
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.6ohm - 10A條- TO-247/ISOWATT218 PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
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代理商： STW10NC60
STW10NC60 / STH10NC60FI
2/9
THERMAL DATA
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
TO-247
0.78
ISOWATT218
2.08
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
°C/W
°C/W
30
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
10
Unit
A
820
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 4.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
0.6
0.75
Parameter
Test Conditions
V
DS
=20 V
,
I
D
= 4.5A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
9
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
1420
pF
Output Capacitance
205
pF
Reverse Transfer
Capacitance
35
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW10NC70Z N-CHANNEL 700V - 0.58 ohm - 10.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW10NK80Z 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STP10NK80ZFP 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STW11NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STW12NK80Z CONNECTOR ACCESSORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW10NC60 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW10NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.58 ohm - 10.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
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STW10NK80Z 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW10NK80Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
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