參數(shù)資料
型號(hào): STW10NA50
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
中文描述: N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管(不適用溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET的)
文件頁(yè)數(shù): 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 242K
代理商: STW10NA50
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.7
4.9
0.185
0.193
C
1.17
1.37
0.046
0.054
D
2.5
0.098
E
0.5
0.78
0.019
0.030
F
1.1
1.3
0.043
0.051
G
10.8
11.1
0.425
0.437
H
14.7
15.2
0.578
0.598
L2
16.2
0.637
L3
18
0.708
L5
3.95
4.15
0.155
0.163
L6
31
1.220
R
12.2
0.480
4
4.1
0.157
0.161
R
A
C
D
E
H
F
G
L6
L3
L2
L5
1
2
3
TO-218 (SOT-93) MECHANICAL DATA
P025A
STH10NA50/FI STW10NA50
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW10NC60 N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STW10NC70Z N-CHANNEL 700V - 0.58 ohm - 10.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW10NK80Z 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STP10NK80ZFP 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STW11NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW10NB60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW10NC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STW10NC60 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW10NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.58 ohm - 10.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW10NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube