參數(shù)資料
型號： STW10NA50
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 242K
代理商： STW10NA50
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.7
5.3
0.185
0.208
A1
2.87
0.113
A2
1.5
2.5
0.059
0.098
b
1
1.4
0.039
0.055
b1
2.25
0.088
b2
3.05
3.43
0.120
0.135
C
0.4
0.8
0.015
0.031
D
20.4
21.18
0.803
0.833
e
5.43
5.47
0.213
0.215
E
15.3
15.95
0.602
0.628
L
15.57
0.613
L1
3.7
4.3
0.145
0.169
Q
5.3
5.84
0.208
0.230
P
3.5
3.71
0.137
0.146
D
Q
A
A
A
C
E
e
b
b
b
L
L1
TO-247 MECHANICAL DATA
STH10NA50/FI STW10NA50
8/11
相關PDF資料
PDF描述
STW10NC60 N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STW10NC70Z N-CHANNEL 700V - 0.58 ohm - 10.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW10NK80Z 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STP10NK80ZFP 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STW11NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STW10NB60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW10NC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩II MOSFET
STW10NC60 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW10NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.58 ohm - 10.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW10NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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