參數(shù)資料
型號(hào)： STU6NA90
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -快速通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： STU6NA90
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.3
4.6
0.169
0.181
A1
2.2
2.4
0.087
0.094
A2
2.9
3.1
0.114
0.122
b
0.7
0.93
0.027
0.036
b1
1.25
1.4
0.049
0.055
b2
1.2
1.38
0.047
0.054
c
0.45
0.6
0.18
0.023
D
15.9
16.3
0.626
0.641
D1
9
9.35
0.354
0.368
D2
0.8
1.2
0.031
0.047
D3
2.8
3.2
0.110
0.126
e
2.44
2.64
0.096
0.104
E
10.05
10.35
0.396
0.407
L
13.2
13.6
0.520
0.535
L1
3
3.4
0.118
0.133
A
A
A
C
D3
D1
D2
D
b
b
b
E
L
L1
e
P011R
Max220 MECHANICAL DATA
STU6NA90
4/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU7NA80 N - CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A - Max220 FAST POWER MOSFET
STU7NA90 N - CHANNEL 900V - 1.05 ohm - 7A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU7NB100 N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm - 7.3A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU7NB90 N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.3 A Max220/Max220I PowerMesh⑩ MOSFET
STU7NB90I N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.3 A Max220/Max220I PowerMesh⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STU70N2LH5 功能描述:MOSFET N-Ch, 25V-0.006ohms 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU75N3LLH6 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 30V 75 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU75N3LLH6-S 功能描述:MOSFET N-channel 30 V 0.0042 ohm 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU7LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.15 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
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