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參數(shù)資料
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
I
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
0.86
30
0.1
300
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
6
A
E
AS
180
mJ
E
AR
7.2
mJ
I
AR
3.8
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
900
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8 T
c
= 125
o
C
V
GS
=
±
30 V
250
1000
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
Static Drain-source On
Resistance
2.25
3
3.75
V
A
V
GS
= 10 V I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V I
D
= 3 A T
c
= 100
o
C
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
1.5
2
4
I
D(on)
On State Drain Current
6
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 3 A
5
6.6
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
1770
190
50
2300
250
70
pF
pF
pF
STU6NA90
2/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STU7NA80 | N - CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A - Max220 FAST POWER MOSFET |
| STU7NA90 | N - CHANNEL 900V - 1.05 ohm - 7A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STU7NB100 | N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm - 7.3A - Max220 PowerMESH MOSFET |
| STU7NB90 | N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.3 A Max220/Max220I PowerMesh⑩ MOSFET |
| STU7NB90I | N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.3 A Max220/Max220I PowerMesh⑩ MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STU6NF10 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 100V-0.22ohms 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STU70N2LH5 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 25V-0.006ohms 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STU75N3LLH6 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 30V 75 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STU75N3LLH6-S | 功能描述:MOSFET N-channel 30 V 0.0042 ohm 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STU7LN80K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.15 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 |
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