參數(shù)資料
型號: STU14NA50
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
中文描述: ? -快速通道增強型功率MOS器件
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 72K
代理商: STU14NA50
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.3
4.6
0.169
0.181
A1
2.2
2.4
0.087
0.094
A2
2.9
3.1
0.114
0.122
b
0.7
0.93
0.027
0.036
b1
1.25
1.4
0.049
0.055
b2
1.2
1.38
0.047
0.054
c
0.45
0.6
0.18
0.023
D
15.9
16.3
0.626
0.641
D1
9
9.35
0.354
0.368
D2
0.8
1.2
0.031
0.047
D3
2.8
3.2
0.110
0.126
e
2.44
2.64
0.096
0.104
E
10.05
10.35
0.396
0.407
L
13.2
13.6
0.520
0.535
L1
3
3.4
0.118
0.133
A
A
A
C
D3
D1
D2
D
b
b
b
E
L
L1
e
P011R
Max220 MECHANICAL DATA
STU14NA50
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU6NA100 N - CHANNEL 1000V - 1.45ohm - 6A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU6NA90 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU7NA80 N - CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A - Max220 FAST POWER MOSFET
STU7NA90 N - CHANNEL 900V - 1.05 ohm - 7A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU7NB100 N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm - 7.3A - Max220 PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STU150N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V STripFET 80A DEEPGATE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU1530PL 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:P-Channel E nhancement Mode MOSFET
STU16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):320 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK(TO-251) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
STU16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):718pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK(TO-251) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
STU16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube