參數(shù)資料
型號： STU14NA50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -快速通道增強型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： STU14NA50
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V I
D
= 7 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 400 V I
D
= 14 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
36
53
48
70
ns
ns
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
160
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 400 V I
D
= 14 A V
GS
= 10 V
115
16
53
150
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V I
D
= 14 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
52
24
80
68
32
105
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
14
56
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 14 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 14 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
o
C
650
12.3
38
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STU14NA50
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU6NA100 N - CHANNEL 1000V - 1.45ohm - 6A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU6NA90 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU7NA80 N - CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A - Max220 FAST POWER MOSFET
STU7NA90 N - CHANNEL 900V - 1.05 ohm - 7A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU7NB100 N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm - 7.3A - Max220 PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STU1530PL 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:P-Channel E nhancement Mode MOSFET
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STU16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:718pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標準包裝:75
STU16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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