參數(shù)資料
型號(hào)： STU10NA50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式快速功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： STU10NA50
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V I
D
=5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 400 V I
D
= 10 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
20
32
28
45
ns
ns
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
190
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 400 V I
D
= 10 A V
GS
= 10 V
80
12
37
110
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V I
D
= 10 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
16
12
30
22
18
42
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
10.2
40.8
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 10 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 10 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
o
C
600
10.2
34
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STU10NA50
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU11NC60 N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 11A Max220 PowerMeshII MOSFET
STU11NB60 N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 11A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU13NC50 N-CHANNEL 500V - 0.31ohm - 13A Max220 PowerMesh⑩II MOSFET
STU16NB50I TRANSISTOR MOSFET MAX-220
STU16NB50 N-CHANNEL 500V - 0.28ohm - 15.6A-Max220 PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STU10NB80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 0.65ohm - 10A - Max220 PowerMESHO MOSFET
STU10NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STU10NC70ZI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.58ohm - 9.4A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STU10NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU10NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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