參數(shù)資料
型號: STTH1212
廠商: 意法半導體
英文描述: Ultrafast recovery - 1200 V diode
中文描述: 超快恢復-型1,200 V二極管
文件頁數(shù): 5/9頁
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代理商: STTH1212
STTH1212
Characteristics
5/9
Transient peak forward voltage
versus dI
F
/dt (typical values)
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values)
Figure 9.
Figure 10.
Forward recovery time versus dI
F
/dt
(typical values)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
100
200
300
400
500
V
(V)
FP
dI /dt(A/μs)
I =I
T=125°C
j
F
F(AV)
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
0
100
200
300
400
500
t (ns)
dI /dt(A/μs)
I =I
F
=1.5 x V max.
T=125°C
F(AV)
V
FR
Figure 11.
Figure 12.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab (Epoxy printed circuit
board FR4, e
cu
= 35 μm)
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S
(cm2)
CU
R
(°C/W)
th(j-a)
相關PDF資料
PDF描述
STTH1212D Ultrafast recovery - 1200 V diode
STTH1212G Ultrafast recovery - 1200 V diode
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參數(shù)描述
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