參數資料
型號： STTH1212
廠商： 意法半導體
英文描述： Ultrafast recovery - 1200 V diode
中文描述： 超快恢復-型1,200 V二極管
文件頁數： 2/9頁
文件大小： 112K
代理商： STTH1212
Characteristics
STTH1212
2/9
1
Characteristics
Absolute ratings (limiting values at 25° C, unless otherwise specified)
Thermal parameter
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.5 x I
F(AV)
+ 0.033 I
F2(RMS)
Table 1.
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
RRM
Repetitive peak reverse voltage
1200
V
I
F(RMS)
RMS forward current
30
A
I
F(AV)
Average forward current,
δ
= 0.5
T
c
= 130° C
12
A
I
FRM
Repetitive peak forward current
t
p
= 5 μs, F = 5 kHz square
160
A
I
FSM
Surge non repetitive forward current
t
p
= 10 ms Sinusoidal
100
A
T
stg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
T
j
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 2.
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case
1.6
°C/W
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
I
R(1)
Reverse leakage current
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
10
μA
T
j
= 125° C
7
70
V
F(2)
Forward voltage drop
T
j
= 25° C
I
F
= 12 A
2.2
V
T
j
= 125° C
1.30
2.0
T
j
= 150° C
1.25
1.9
1.
Pulse test: t
p
= 5 ms,
δ
< 2 %
Pulse test: t
p
= 380 μs,
δ
< 2 %
2.
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PDF描述
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STTH1212G Ultrafast recovery - 1200 V diode
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