參數(shù)資料
型號(hào)： STTH112A
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER
中文描述： 高壓超快整流器
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： STTH112A
STTH112/A/U
3/6
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
T
δ
=tp/T
tp
t (s)
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 3-1:
Relative variation of thermal impedance
junction ambient versus pulse duration (epoxy
FR4, L
leads
= 10mm) (DO-41).
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
T
δ
=tp/T
tp
t (s)
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 3-2:
Relative variation of thermal impedance
junction ambient versus pulse duration (epoxy
FR4) (SMA).
R
(°C/W)
th(j-a)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
S(cm2)
DO-41
=10mm
leads
L
SMB
Fig. 4-1:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under each lead (epoxy
printed circuit board FR4, copper thickness: 35μm)
(DO-41, SMB).
R
(°C/W)
th(j-a)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
S(cm2)
SMA
Fig. 4-2:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under each lead (epoxy
printed circuit board FR4, copper thickness: 35μm)
(SMA).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
t (s)
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 3-3:
Relative variation of thermal impedance
junction ambient versus pulse duration (epoxy
FR4)(SMB).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH112RL HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER
STTH112U HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER
STU14NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU6NA100 N - CHANNEL 1000V - 1.45ohm - 6A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU6NA90 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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