參數(shù)資料
型號： STTH112A
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER
中文描述： 高壓超快整流器
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： STTH112A
STTH112/A/U
2/6
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
R
Reverse leakage current
V
R
= 1200V
Tj = 25°C
5
μA
Tj = 125°C
50
V
F
Forward voltage drop
I
F
= 1 A
Tj = 25°C
1.9
V
Tj = 125°C
1.17
1.65
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 1.35 x I
F(AV)
+ 0.3 x I
F2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th (j-l)
Junction to lead
L = 10 mm
DO-41
45
°
C/W
SMA
30
SMB
25
R
th (j-a)
Junction to ambient
L = 10 mm
DO-41
110
THERMAL PARAMETERS
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
rr
Reverse recovery time
I
F
= 0.5 A
Irr = 0.25 A I
R
= 1A
Tj = 25°C
75
ns
t
fr
Forward recovery time
I
F
= 1 A
dI
F
/dt = 50 A/μs
V
FR
= 1.1 x V
F
max
Tj = 25°C
500
ns
V
FP
Forward recovery voltage
30
V
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P(W)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
δ
= 1
δ
= 0.05
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
I
(A)
F(AV)
T
δ
=tp/T
tp
Fig.1:
Conductionlossesversusaveragecurrent.
I
(A)
FM
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T=125°C
(maximum values)
T=125°C
(typical values)
j
(maxT=25°C
V
(V)
FM
Fig. 2:
Forward voltage drop versus forward
current
.
相關PDF資料
PDF描述
STTH112RL HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER
STTH112U HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER
STU14NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU6NA100 N - CHANNEL 1000V - 1.45ohm - 6A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU6NA90 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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