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參數(shù)資料
| 型號： | STTH1002CT |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| 中文描述： | 高效超快二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | STTH1002CT |
STTH1002C
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t (ns)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
dI /dt(A/μs)
I =5A
V =160V
R
T=25°C
j
T=125°C
j
Fig. 6:
Reverse recovery time versus dI
F
/dt
(typical values, per diode).
I
(A)
RM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
10
100
1000
dI /dt(A/μs)
I =5A
F
V =160V
R
T=25°C
j
T=125°C
j
Fig.7:
PeakreverserecoverycurrentversusdI
F
/dt
(typical values, per diode).
I
RM
Q
rr
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
T (°C)
Q ;
I
[T ]/Q ;I
[T =125°C]
RM
I =5A
F
V =160V
Fig. 8:
temperature.
Dynamic parameters versus junction
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
R
(°C/W)
th(j-a)
S(Cu)(cm2)
Fig. 9-2:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, e
CU
: 35μm) for DPAK.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
S(Cu)(cm2)
R
(°C/W)
th(j-a)
Fig. 9-1:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, e
CU
: 35μm) for D
2
PAK.
Q (nC)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
10
100
1000
dI /dt(A/μs)
I =5A
F
V =160V
R
T=25°C
j
T=125°C
j
Fig. 5:
Reverse recovery charges versus dI
F
/dt
(typical values, per diode).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1002CG-TR | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CB | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CB-TR | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CFP | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CG | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| STTH1003S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| STTH1003SB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| STTH1003SB-TR | 功能描述:DIODE HI EFF 300V 10A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| STTH1003SBY-TR | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Auto Hi efficiency 10A 300V 13ns 0.9V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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