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參數(shù)資料
| 型號： | STTH1002CT |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| 中文描述： | 高效超快二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | STTH1002CT |
STTH1002C
3/8
I (A)
0
10
20
30
40
50
60
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T
δ
=tp/T
tp
I
M
P = 10W
P = 5W
P = 2W
δ
Fig.1:
Peakcurrentversusdutycycle(perdiode).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
V
(V)
FM
I
(A)
FM
T=25°C
T=150°C
j
Fig. 2-1:
Forward voltage drop versus forward
current (typical values, per diode).
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
t (s)
Fig. 3-1:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220AB,
I
2
PAK, D
2
PAK, DPAK).
10
100
0
50
100
150
200
C(pF)
V (V)
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
Fig. 4:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
I
(A)
FM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
T=150°C
j
T=25°C
j
V
(V)
FM
Fig. 2-2:
Forward voltage drop versus forward
current (maximum values, per diode).
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
t (s)
Fig. 3-2:
Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
(TO-220FPAB).
pulse
duration
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1002CG-TR | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CB | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CB-TR | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CFP | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
| STTH1002CG | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| STTH1003S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| STTH1003SB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER |
| STTH1003SB-TR | 功能描述:DIODE HI EFF 300V 10A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| STTH1003SBY-TR | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Auto Hi efficiency 10A 300V 13ns 0.9V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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