參數(shù)資料
型號： STT818A
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
中文描述： 高增益低電壓PNP功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： STT818A
THERMAL DATA
R
thj-amb(1)
Thermal Resistance Junction-ambient
(1) Package mounted on FR4 pcb 25mm x 25mm.
Max
105
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CB
= -30 V
V
CB
= -30 V
V
EB
= -5 V
T
C
= 125
o
C
-0.1
-20
I
EBO
-0.1
I
C
= -10 mA
-30
V
I
C
= -0.7 A
I
C
= -1.2 A
I
C
= -2 A
I
B
= -20 mA
I
B
= -20 mA
I
B
= -20 mA
-0.07
-0.12
-0.25
-0.12
-0.25
-0.5
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
I
C
= -0.7 A
I
B
= -20 mA
-1.1
V
V
BE(ON)
h
FE
I
C
= -2 A
I
C
= -0.5 A
I
C
= -2.5 A
V
CE
= -2 V
V
CE
= -1 V
V
CE
= -3 V
-1.1
V
DC Current Gain
100
100
300
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
Safe OperatingArea
DC Current Gain
STT818A
2/6
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PDF描述
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參數(shù)描述
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STT8702 制造商:Switchcraft 功能描述:
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