參數(shù)資料
型號(hào)： STT818A
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
中文描述： 高增益低電壓PNP功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 87K
代理商： STT818A
STT818A
HIGH GAIN LOW VOLTAGE
PNP POWER TRANSISTOR
I
VERYLOW SATURATION VOLTAGE
I
DC CURRENT GAIN > 100(h
FE
)
I
3 A CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT
(I
C
)
I
SURFACE-MOUNTING SOT23-6L PACKAGE
IN TAPE& REEL
APPLICATIONS
I
POWER MANAGEMENT IN PORTABLE
EQUIPMENTS
I
SWITCHING REGULATOR IN BATTERY
CHARGER APPLICATIONS
DESCRIPTION
Using the latest low voltage Epitaxial Planar
technology
based
on
STMicroelectronics has introduced the new “High
Gain”
Power
bipolar
outstandingperformances. Its very low saturation
voltage
combined
with
characteristics make it ideal for all high efficiency
low voltageswitching applications.
interdigitated
layout,
transistor family,
with
the
“high
gain”
Marking : 818A
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
February 2001
SOT23-6L
(TSOP6)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
-30
-30
-5
-3
-6
-0.2
-0.5
1.2
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Base Peak Current
Total Dissipation at T
C
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1/6
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STT8205S_11 制造商:SECOS 制造商全稱(chēng):SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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