參數資料
型號： STS4DNFS30L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： N溝道30V的- 0.044ohm - 4A條的SO - 8 STripFET⑩二肖特基整流器MOSFET的普樂士
文件頁數： 3/8頁
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代理商： STS4DNFS30L
3/8
STS4DNFS30L
Thermal Impedance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 15 V, I
D
= 2 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 5 V
(see test circuit, Figure 1)
V
DD
= 24 V, I
D
= 4 A,
V
GS
= 5 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
11
ns
t
r
Rise Time
100
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
6.5
9
nC
Gate-Source Charge
3.6
nC
Gate-Drain Charge
2
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 15 V, I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 5 V
(see test circuit, Figure 1)
Min.
Typ.
25
22
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off Delay Time
Fall Time
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
4
A
Source-drain Current (pulsed)
16
A
Forward On Voltage
I
SD
= 4 A, V
GS
= 0
I
SD
= 4 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 15 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 3)
1.2
V
Reverse Recovery Time
35
ns
Reverse Recovery Charge
25
nC
Reverse Recovery Current
1.4
A
Safe Operating Area
1.
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PDF描述
STS8C5H30L LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET
STS8NFS30L N - CHANNEL 30V - 0.018ohm - 8A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STSJ2NM60 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:10; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Socket; Gender:Female
STSJ20NM20N N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 20A POWERSO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET
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STS4DPFS20L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-CHANNEL 20V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
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