參數(shù)資料
型號： STS4DNFS30L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： N溝道30V的- 0.044ohm - 4A條的SO - 8 STripFET⑩二肖特基整流器MOSFET的普樂士
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： STS4DNFS30L
STS4DNFS30L
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THERMAL DATA
Rthj-amb
T
stg
T
l
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
(*)Thermal Resistance Junction-ambient MOSFET
62.5
°C/W
Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Junction Temperature
-55 to 150
°C
(*) Mounted on FR-4 board (Steady State)
Min.
30
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 16 V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 2 A
V
GS
= 5V, I
D
= 2 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
V
Static Drain-source On
Resistance
0.044
0.055
0.051
0.065
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 2 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
5
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
330
pF
Output Capacitance
90
pF
Reverse Transfer
Capacitance
40
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS8C5H30L LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET
STS8NFS30L N - CHANNEL 30V - 0.018ohm - 8A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STSJ2NM60 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:10; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Socket; Gender:Female
STSJ20NM20N N-CHANNEL 200V 0.11 OHM 20A POWERSO-8 ULTRA LOW GATE CHARGE MDMESH II MOSFET
STSJ3NM50 N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A PowerSO-8 Zener-Protected MDmesh⑩ POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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STS4DPFS20L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-CHANNEL 20V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
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