參數(shù)資料
型號(hào)： STS3DPFS45
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： P-CHANNEL 45V - 0.080 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： P通道45V的- 0.080歐姆-第3A的SO - 8 MOSFET的普樂士STripFET⑩肖特基整流器
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商： STS3DPFS45
3/8
STS3DPFS45
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 20 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 10 V
20
25
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 20V I
D
= 3A V
GS
=10V
24.5
4
5.5
33
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 20 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 10 V
100
22
ns
ns
t
d(off)
t
f
t
c
Turn-off Delay Time
Fall Time
Cross-over Time
V
clamp
= 32 V
R
G
= 4.7
,
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
95
11
35
ns
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
3
12
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 3 A
V
GS
= 0
2
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 3 A
V
DD
= 15 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
40
85
3.8
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS4C3F60L StripFET⑩ MOSFET
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參數(shù)描述
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S-TS400NU-FTU-LL-400 制造商:Altech Corporation 功能描述:
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