參數(shù)資料
型號(hào)： STS3DPFS45
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： P-CHANNEL 45V - 0.080 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： P通道45V的- 0.080歐姆-第3A的SO - 8 MOSFET的普樂(lè)士STripFET⑩肖特基整流器
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商： STS3DPFS45
STS3DPFS45
2/8
TERMAL DATA
(*) Mounted on Fr-4 board (Steady State)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(1
)
SCHOTTCKY STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC
Rthj-amb
Rthj-amb
T
stg
T
j
Thermal Resistance Junction-ambient MOSFET
Thermal Resistance Junction-ambient SCHOTTKY
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
MAX
62.5
100
-65 to 150
150
o
C/W
o
C/W
o
C
o
C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
45
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 16 V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.5 A
0.080
0.11
I
D(on)
On State Drain Current
V
GS
= 10 V
3
A
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
R(*)
Reversed Leakage Current
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
V
R
= 45 V
V
R
= 45 V
0.03
0.2
100
mA
mA
V
F(*)
Forward Voltage drop
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
I
F
= 3 A
I
F
= 3 A
0.42
0.51
0.46
mA
mA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
>I
D(on)
xR
DS(on)max
I
D
=1.5A
4
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
1190
200
56
pF
pF
pF
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PDF描述
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