- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382566 > STS3DPFS30L (意法半導(dǎo)體) P - CHANNEL 30V - 0.13ohm - 3A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STS3DPFS30L |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | P - CHANNEL 30V - 0.13ohm - 3A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | P -通道30V的- 0.13ohm -第3A的S0 - 8 STripFET肖特基整流器MOSFET的普樂士 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | STS3DPFS30L |
THERMAL DATA
R
thj-amb
R
thj-amb
T
stg
T
j
(*)Thermal Resistance Junction-ambient MOSFET S.O.
Dual Operating
(*) Thermal Resistance Junction-ambientSCHOTTKY
Storage Temperature Range Maximum
Junction Temperature
(*)
mounted on FR-4 board (steady state)
78
62
100
-65 to 150
150
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
o
C
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero
Gate
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
30
V
I
DSS
Voltage
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
V
GS
=
±
16 V
1
10
±
1
μ
A
μ
A
μ
A
I
GSS
Leakage
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
Static Drain-source On
Resistance
1
2.5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V I
D
= 1.5 A
V
GS
= 4.5V I
D
= 1.5 A
0.13
0.15
0.16
0.19
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
3
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=1.5 A
3.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
Transfer
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
510
170
55
pF
pF
pF
STS3DPFS30L
2/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STS3DPFS30 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Plus Schottky Rectifier(P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET和肖特基整流器) |
| STS3DPFS45 | P-CHANNEL 45V - 0.080 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER |
| STS4C3F60L | StripFET⑩ MOSFET |
| STS4DNF30L | DUAL N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STS4DNF60L | N-Channel 60V-0.045Ω-4A SO-8 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STS3DPFS40 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-CHANNEL 40V - 0.070ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER |
| STS3DPFS45 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 45V 3A 8PIN SO - Tape and Reel |
| STS3NBT | 制造商:HOKURIKU 制造商全稱:HOKURIKU 功能描述:Tactile Switches 3.2mm x 3.2mm Surface Mounting Type |
| STS3P6F6 | 功能描述:MOSFET P-Ch 60V 0.13 Ohm 3A STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:P-Channel 汲極/源極擊穿電壓:60 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:3 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.13 Ohms 配置:Single 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 封裝:Reel |
| STS4 | 制造商:Phoenix Contact 功能描述:TB,Spring-cage,Width:6.2 mm,grey |
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