參數(shù)資料
型號: STS3DNE60L
廠商: 意法半導體
英文描述: N-Channel 60V-0.065Ω-3A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述: N溝道60V的,0.065Ω- 3A條的SO - 8 STripFETTM功率MOSFET(不適用溝道功率MOSFET的)
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 70K
代理商: STS3DNE60L
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
1.75
0.068
a1
0.1
0.25
0.003
0.009
a2
1.65
0.064
a3
0.65
0.85
0.025
0.033
b
0.35
0.48
0.013
0.018
b1
0.19
0.25
0.007
0.010
C
0.25
0.5
0.010
0.019
c1
45 (typ.)
D
4.8
5.0
0.188
0.196
E
5.8
6.2
0.228
0.244
e
1.27
0.050
e3
3.81
0.150
F
3.8
4.0
0.14
0.157
L
0.4
1.27
0.015
0.050
M
0.6
0.023
S
8 (max.)
0016023
SO-8 MECHANICAL DATA
STS3DNE60L
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相關PDF資料
PDF描述
STS3DPF20V DUAL P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
STS3DPF30L DUAL P - CHANNEL 30V - 0.145ohm - 3A SO-8 STripFETO POWER MOSFET
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STS3DPFS30 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Plus Schottky Rectifier(P溝道增強模式功率MOSFET和肖特基整流器)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STS3DPF20V 功能描述:MOSFET P-Ch 20 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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STS3DPFS30 功能描述:MOSFET P-Ch 30 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube