參數(shù)資料
型號： STS3DNE60L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 60V-0.065Ω-3A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道60V的，0.065Ω- 3A條的SO - 8 STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 70K
代理商： STS3DNE60L
THERMAL DATA
R
thj-amb
T
j
T
stg
*Thermal Resistance Junction-ambient Single Operation
Dual Operation
Maximum Operating Junction Temperature
Storage Temperature
78
62.5
175
-55 to 150
o
C/W
o
C/W
o
C
o
C
(*)
Mounted on FR-4 board (t
≤ 10
sec)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
20 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
Static Drain-source On
Resistance
1
1.7
2.5
V
V
GS
= 10 V I
D
= 1.5 A
V
GS
= 4.5 V I
D
= 1.5 A
0.065
0.08
0.08
0.1
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
27
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 1.5 A
5
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0 V
TBD
pF
pF
pF
STS3DNE60L
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS3DPF20V DUAL P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
STS3DPF30L DUAL P - CHANNEL 30V - 0.145ohm - 3A SO-8 STripFETO POWER MOSFET
STS3DPFS30L P - CHANNEL 30V - 0.13ohm - 3A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS3DPFS30 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Plus Schottky Rectifier(P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET和肖特基整流器)
STS3DPFS45 P-CHANNEL 45V - 0.080 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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