參數(shù)資料
型號(hào)： STS1HNC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A SO-8 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 7ohm - 0.4A的SO - 8 MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： STS1HNC60
STS1HNC60
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS1NC60 N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SO-8 PowerMESH⑩II MOSFET
STS2NF100 N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STS3DNE60L N-Channel 60V-0.065Ω-3A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STS3DPF20V DUAL P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
STS3DPF30L DUAL P - CHANNEL 30V - 0.145ohm - 3A SO-8 STripFETO POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS1HNK60 功能描述:MOSFET NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1NC60 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1NS20 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1TXQTR 制造商:STMicroelectronics 功能描述:LOW DATA RATE, LOW POWER SUB-1GHZ TRANSMITTER - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC TRANSMITTER RF 1GHZ 20VFQFPN
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