參數(shù)資料
型號(hào)： STS1DNC45
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TOOLS,HEX BITS,SETS,GORILLA-GRIP FOLD-UP TOOL SET,8-PC.TAMPER-RESISTANT, TR9-TR40,HAND TOOLS,GORILLA GRIP<SUP>&#174;</SUP> FOLD-UP TOOL SETS ,BONDHUS
中文描述： 雙N溝道450V - 4.1ohm - 0.4A的SO - 8 SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 296K
代理商： STS1DNC45
3/8
STS1DNC45
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(off)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 225 V, I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 360 V, I
D
= 1.5 A,
V
GS
= 10 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
6.7
ns
t
r
Rise Time
4
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
7
1.3
3.2
10
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
8.5
12
18
Max.
Unit
ns
ns
ns
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 360 V, I
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 5)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
0.4
A
Source-drain Current (pulsed)
1.6
A
Forward On Voltage
I
SD
= 0.4 A, V
GS
= 0
1.6
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 0.4 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 100 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
225
530
4.7
ns
nC
A
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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