參數(shù)資料
型號(hào)： STS1DNC45
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TOOLS,HEX BITS,SETS,GORILLA-GRIP FOLD-UP TOOL SET,8-PC.TAMPER-RESISTANT, TR9-TR40,HAND TOOLS,GORILLA GRIP<SUP>&#174;</SUP> FOLD-UP TOOL SETS ,BONDHUS
中文描述： 雙N溝道450V - 4.1ohm - 0.4A的SO - 8 SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： STS1DNC45
STS1DNC45
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THERMAL DATA
Rthj-amb(#)
(#) When Mounted on FR4 board (Steady State)
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
Thermal Resistance Junction-ambient Max Single Operation
Thermal Resistance Junction-ambient Max Dual Operation
62.5
78
°C/W
°C/W
T
j
Max. Operating Junction Temperature
150
°C
T
stg
Storage Temperature
–65 to 150
°C
Parameter
Max Value
0.4
Unit
A
30
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
450
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ± 30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2.3
3
3.7
V
Static Drain-source On
Resistance
4.1
4.5
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 25 V
,
I
D
= 0.5 A
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
1.1
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
160
pF
Output Capacitance
27.5
pF
Reverse Transfer
Capacitance
4.7
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS1HNC60 N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A SO-8 PowerMesh⑩II MOSFET
STS1NC60 N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SO-8 PowerMESH⑩II MOSFET
STS2NF100 N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STS3DNE60L N-Channel 60V-0.065Ω-3A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STS3DPF20V DUAL P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STS1FRM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Telecomm/Datacomm
STS1HNC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A SO-8 PowerMesh⑩II MOSFET
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STS1NC60 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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