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參數(shù)資料
| 型號： | STQ2NF06L |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 60V - 0.1 W - 2A TO-92 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道60V的- 0.1糯- 2A至- 92 STripFET⑩二功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 329K |
| 代理商： | STQ2NF06L |
3/9
STQ2NF06L
Thermal Impedance Junction-lead
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 1 A
V
GS
= 4.5 V
10
20
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 48 V I
D
= 2 A V
GS
= 5 V
5.6
1.2
2.6
7.6
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 1 A
V
GS
= 4.5 V
17
6
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
2
8
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 2 A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 2 A
V
DD
= 20 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
28
31
2.2
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
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