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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STQ2NF06L |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 60V - 0.1 W - 2A TO-92 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道60V的- 0.1糯- 2A至- 92 STripFET⑩二功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 329K |
| 代理商： | STQ2NF06L |
STQ2NF06L
2/9
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-
lead
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-Lead
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
40
125
260
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
60
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 16 V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 1 A
I
D
= 1 A
0.1
0.12
0.12
0.14
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(*)
Forward Transconductance
V
DS
= 15 V
I
D
= 1 A
3
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V f = 1 MHz V
GS
= 0
360
55
25
pF
pF
pF
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