參數(shù)資料
型號(hào)： STQ1NE10L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.3 ohm - 1A TO-92 STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.3歐姆- 1A至- 92 STripFET⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
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代理商： STQ1NE10L
STQ1NE10L
2/9
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-
Lead
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-Lead
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
40
125
260
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
100
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 16 V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 0.5 A
I
D
= 0.5 A
0.30
0.35
0.40
0.45
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(*)
Forward Transconductance
V
DS
= 15V
I
D
= 0.5 A
2
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V f = 1 MHz V
GS
= 0
345
45
20
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STQ2NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1 W - 2A TO-92 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STR710FZ1H6 ARM7TDMI⑩ 16/32-BIT MCU WITH FLASH, USB, CAN 5 TIMERS, ADC, 10 COMMUNICATIONS INTERFACES
STR710FZ2H6 ARM7TDMI⑩ 16/32-BIT MCU WITH FLASH, USB, CAN 5 TIMERS, ADC, 10 COMMUNICATIONS INTERFACES
STR711FR0H6 ARM7TDMI⑩ 16/32-BIT MCU WITH FLASH, USB, CAN 5 TIMERS, ADC, 10 COMMUNICATIONS INTERFACES
STR711FR0T6 ARM7TDMI⑩ 16/32-BIT MCU WITH FLASH, USB, CAN 5 TIMERS, ADC, 10 COMMUNICATIONS INTERFACES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STQ1NE10L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.3ヘ - 1A - TO-92 STripFET⑩ Power MOSFET
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STQ1NK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SuperMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STQ1NK60ZR-AP_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 13Ω - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH? Power MOSFET
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