參數(shù)資料
型號(hào)： STP80N05-09
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型超高密度功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 114K
代理商： STP80N05-09
STP80N05-09
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR
I
ULTRA HIGH DENSITY TECHNOLOGY
I
TYPICAL R
DS(on)
= 7 m
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
LOW GATECHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
APPLICATIONS
I
SYNCROUNOUS RECTIFIERS
I
HIGH CURRENT, HIGHSPEED SWITCHING
I
DC-DC &DC-AC CONVERTERABSOLUTE
MAXIMUM RATINGS
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
March1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Parameter
Value
50
Unit
V
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
50
±
20
80
V
V
A
60
320
A
A
150
W
1
5
W/
o
C
V/ns
o
C
o
C
dV/dt(
1
)
T
stg
T
j
Storage Temperature
-65 to 175
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited bysafe operatingarea
175
(
1
) I
SD
≤
60 A, di/dt
≤
200 A/ms,V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
J
≤
T
JMAX
TYPE
V
DSS
50 V
R
DS(on)
< 0.009
I
D
STP80N05-09
80 A
1
2
3
TO-220
1/9
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PDF描述
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