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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP80N03L-06 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式高密度功率ＭＯＳ晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式高密度功率馬鞍山晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | STP80N03L-06 |
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STP80N03L-06
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP80NE03L-06 | N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET) |
| STPF1020CTN | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPR810DB | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STPRA1040CT | 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS40L45CWPBF | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP80N05-09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR |
| STP80N06-10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR |
| STP80N10F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP80N20M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP80N6F6 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:122nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7480pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
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