參數(shù)資料
型號： STP80N03L-06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式高密度功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式高密度功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
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代理商： STP80N03L-06
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Rthc-sink
Tl
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Thermal Resistance Case-sink
Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
1
62.5
0.5
300
oC/W
oC
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
IAR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by Tj max,
δ < 1%)
60
A
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting Tj = 25
oC, ID = IAR, VDD = 25 V)
600
mJ
EAR
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by Tj max,
δ < 1%)
150
mJ
IAR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(Tc = 100
oC, pulse width limited by Tj max, δ < 1%)
60
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
ID = 250
A
VGS = 0
30
V
IDSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (VGS = 0)
VDS = Max Rating
VDS = Max Rating x 0.8
Tc = 125
o C
250
1000
A
IGSS
Gate-body Leakage
Current (VDS = 0)
VGS =
± 15 V
± 100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VGS(th)
Gate Threshold Voltage VDS = VGS
ID = 250
A
1
2.5
V
RDS(on)
Static Drain-source On
Resistance
VGS = 10V
ID = 40 A
VGS = 10V
ID = 40 A
Tc = 100
o C
VGS = 5V
ID = 40 A
VGS = 5V
ID = 40 A
Tc = 100
oC
0.005
0.006
0.012
0.009
0.018
ID(on)
On State Drain Current
VDS > ID(on) x RDS(on)max
VGS = 10 V
80
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
gfs (
)
Forward
Transconductance
VDS > ID(on) x RDS(on)max
ID = 10 A
35
S
Ciss
Coss
Crss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
VDS = 25 V
f = 1 MHz
VGS = 0
6000
1000
250
pF
STP80N03L-06
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP80NE03L-06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STPF1020CTN 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPR810DB 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STPRA1040CT 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPS40L45CWPBF 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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